W66BM6NBUAGJ TR
| Αριθμός μέρους κατασκευαστή | W66BM6NBUAGJ TR |
|---|---|
| Κατασκευαστής | Winbond Electronics |
| Λεπτομερής περιγραφή | IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA |
| Πακέτο | 200-WFBGA (10x14.5) |
| Σε απόθεμα | 18117 pcs |
| Φύλλο δεδομένων | Declaration on California Proposition 65 |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
| 2500 |
|---|
| $2.235 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Winbond Electronics.Έχουμε τα 18117 κομμάτια του Winbond Electronics W66BM6NBUAGJ TR σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page | 18ns |
| Τάσης - Προμήθεια | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V |
| Τεχνολογία | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | 200-WFBGA (10x14.5) |
| Σειρά | - |
| Συσκευασία / υπόθεση | 200-WFBGA |
| Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 105°C (TC) |
| τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
| Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
|---|---|
| Τύπος μνήμης | Volatile |
| Μέγεθος μνήμης | 2Gbit |
| Οργάνωση μνήμης | 128M x 16 |
| Διασύνδεση μνήμης | LVSTL_11 |
| Μορφή μνήμης | DRAM |
| Συχνότητα ρολογιού | 1.866 GHz |
| Αριθμός προϊόντος βάσης | W66BM6 |
| Χρόνος πρόσβασης | 3.5 ns |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
W66BL6NBUAGJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BM6NBUAFJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAHJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BM6NBUAHJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BL6NBUAFJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BL6NBUAGJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BL6NBUAFJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAFJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAGJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BL6NBUAHJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAGJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BQ6NBUAFJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BM6NBUAHJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAHJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BM6NBUAGJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BP6NBUAFJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BM6NBUAFJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W6672TJ350
DIODE GEN PURP 1.9KV 6672A -IXYS -
W66BQ6NBUAFJ
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics -
W66BL6NBUAHJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGAWinbond Electronics